طوّر فريق دولي من الباحثين، يضم علماء من جامعة الشرق الأقصى ‏الفيدرالية الروسية وجامعة سخالين الحكومية الروسية، بالتعاون مع مراكز ‏علمية في الصين، نوعاً جديداً من الذاكرة غير المتطايرة يحمل اسم “‏SOT-‎MRAM‏”، يتميز بسرعة عالية في معالجة البيانات مع قدرته على الاحتفاظ ‏بها حتى عند انقطاع التيار الكهربائي، في خطوة قد تسهم في تطوير جيل ‏جديد من وحدات التخزين الإلكترونية الموفرة للطاقة.‏ وذكرت وكالة “سبوتنيك”،أمس الإثنين نقلاً عن بوابة “روسيا العلمية”، أن ‏التقنية الجديدة تعتمد على بنية ثلاثية الطبقات تضم طبقتين مغناطيسيتين ‏يفصل بينهما غشاء فائق الرقة من معدن التنغستن بسماكة تبلغ نحو نانومتر ‏واحد، ما يتيح توليد تيار سبيني فعال لتبديل حالة المغنطة داخل الخلية، مع ‏تحقيق كفاءة تحويل للتيار الكهربائي إلى تيار سبيني تقارب 15 بالمئة.‏ وأوضح الباحثون أن تقليل سماكة الطبقات لا يقتصر على تصغير حجم ‏الذاكرة، بل يسهم أيضاً في خفض استهلاك الطاقة وتقليل تيارات الكتابة، ‏الأمر الذي يجعل هذه التقنية أكثر ملاءمة للتطبيقات الصناعية. ‏ كما تمتاز ذاكرة “‏SOT-MRAM‏” بسرعة كتابة تفوق وحدات التخزين ‏الإلكترونية الحالية بعشرات المرات، مع الحفاظ على البيانات بصورة دائمة، ‏ما يعزز فرص استخدامها في الأجهزة الإلكترونية والحواسيب المستقبلية.‏ ويمهد هذا الإنجاز الطريق أمام تطوير حلول تخزين أكثر كفاءة واعتمادية، ‏تجمع بين السرعة العالية والاستهلاك المنخفض للطاقة، بما يلبي متطلبات ‏الجيل المقبل من التقنيات الرقمية.‏